X線光電子及びX線励起オージェ電子スペクトルデータ,III; グラファイト、Si、SiC、Si3N4 及び SiO2

• Material Type: 文書・図像類
• Title: X線光電子及びX線励起オージェ電子スペクトルデータ,III; グラファイト、Si、SiC、Si3N4 及び SiO2
• Author/Editor: 佐々木 貞吉; 馬場 祐治
• Author Heading: 佐々木 貞吉; 馬場 祐治
• Publication Date: 1985-06
• Publication Date (W3CDTF): 1985-06
• Alternative Title: X-ray photoelectron and X-ray-induced auger electron spectroscopic data, III; Graphite,Si,SiC,Si3N4 and SiO2
• Periodical title: JAERI-M 85-063
• Text Language Code: eng
• Target Audience: 一般
• Note (General): グラファイト、Si、SiC、Si$_{3}$N$_{4}$、SiO$_{2}$について、X線光電子(XPS)スペクトル及びX線励起オージェ電子(XAES)スペクトルを測定した。表面吸着物質の除去は、350$^{\circ}$Cの高真空加熱とイオンエッチングの併用により行った。試料の化学的清浄表面は4$\mu$A/cm$^{2}$の8keVAr$^{+}$イオンビームでエッチングすることにより得られ、Si$_{3}$N$_{4}$、SiO$_{2}$に対するSi2P線の化学シフトはそれぞれ0.9eV、2.1eV、4.0eVと決定された。本研究で得られたデータを用いて水素イオン照射表面の化学状態を解析したところ、グラファイト及びSiC表面でほC-H結合が、また、Si、Si$_{3}$N$_{4}$及びSiO$_{2}$表面ではSi-H結合が形成されたことを示唆する結果が得られた。
• Source: /JAERI-M-85-063.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-M-85-063.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: グラファイト、Si、SiC、Si$_{3}$N$_{4}$、SiO$_{2}$について、X線光電子(XPS)スペクトル及びX線励起オージェ電子(XAES)スペクトルを測定した。表面吸着物質の除去は、350$^{\circ}$Cの高真空加熱とイオンエッチングの併用により行った。試料の化学的清浄表面は4...