CU4SnS4とCU8GeS6における1次相転移の圧力効果

• Material Type: 文書・図像類
• Title: CU4SnS4とCU8GeS6における1次相転移の圧力効果
• Author/Editor: 安西 修一郎; 小沢 国夫
• Author Heading: 安西 修一郎; 小沢 国夫
• Publication Date: 1984-03
• Publication Date (W3CDTF): 1984-03
• Alternative Title: Effects of Pressure on the First Order Phase Transition of CU4SnS4 and CU8GeS6
• Periodical title: JAERI-M 84-059
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): CU$_{4}$SnS$_{4}$とCU$_{8}$GeS$_{6}$mp相転移温度(Ts=232KとTG=334K)近傍の温度領域での電気抵抗率と磁化率ならびに転移潜熱の測定を行なった。CU$_{4}$SnS$_{4}$の転移(低温の高抵抗相から高温の低抵抗相への転移)は1次であり、この潜熱は1.3KJ・mal$_{1}$である。CU$_{8}$GeS$_{6}$の電気抵抗は昇温時に、1次転移温度TGで急増する。また、これらの物質の磁化率は温度に依存しない反磁性を示す。群水圧8Kbar迄のTs、TGをそれぞれ電気抵抗とDTA測定によって調べた。圧力係数は、dTs/dP=-9.4K・KbarとdTG/dP=+2.9K・Kbar$_{1}$である。また、フォノン・ソフトモードによる格子骨格上での原子の変位と、電荷担体イオンの格子骨格上の占有率をパラメーターとし、両者の結合項を含むLandau型の自由エネルギー表式を提案した。このモデルによる計算機シュミレーションは上記の転移現象と良い一致を示した。
• Source: /JAERI-M-84-059.pdf （fulltext）; https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-M-84-059.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 日本原子力研究開発機構 : JOPSS:JAEA Originated Papers Searching System

• Summary, etc.: CU$_{4}$SnS$_{4}$とCU$_{8}$GeS$_{6}$mp相転移温度(Ts=232KとTG=334K)近傍の温度領域での電気抵抗率と磁化率ならびに転移潜熱の測定を行なった。CU$_{4}$SnS$_{4}$の転移(低温の高抵抗相から高温の低抵抗相への転移)は1次であり、この潜熱は1....