静電浮遊法とX線非弾性散乱法を用いた液体シリコンの原子ダイナミクスの観察

Material type: 文書・図像類

Author: 正木, 匡彦ほか

Publisher: 宇宙航空研究開発機構

Publication date: 2007-03-30

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

NDC: -

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Note (General)：: 高温融体内の原子の運動に関する実験的な知見は、融体の熱物性と構造の関係を理解する上で極めて重要である。我々は、高温融液の原子ダイナミクスの観察を目的として非弾性X線散乱用の小型の静電浮遊装置を開発し、融点および過冷却液体シリコンの動的構造因子を測定した。本装置を用いることにより液体シリコンのフォノン...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 静電浮遊法とX線非弾性散乱法を用いた液体シリコンの原子ダイナミクスの観察
Author/Editor: 正木, 匡彦
石川, 毅彦
岡田, 純平
古池, 紀之
Masaki, Tadahiko
Ishikawa, Takehiko
Okada, Junpei T.
Koike, Noriyuki
Author Heading: 正木, 匡彦
石川, 毅彦
岡田, 純平
古池, 紀之
Masaki, Tadahiko
Ishikawa, Takehiko
Okada, Junpei T.
Koike, Noriyuki
Publication, Distribution, etc.: 宇宙航空研究開発機構
Publication Date: 2007-03-30
Publication Date (W3CDTF): 2007-03-30
Alternative Title: The observation of atomic dynamics in liquid silicon by using inelastic x-ray scattering method coupled with electrostatic levitation method
Periodical title: 宇宙航空研究開発機構研究開発報告 = JAXA Research and Development Report: Liquid Structure and Transport Properties of High Temperature Metallic Melts
No. or year of volume/issue: JAXA-RR-06-015E
Volume: JAXA-RR-06-015E
Pages: 25-29
ISSN (Periodical Title): ISSN : 1349-1113
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 静電浮遊
原子ダイナミクス
液体構造
液体シリコン
電気炉
X線散乱
非弾性散乱
過冷却
electrostatic levitation
atomic dynamics
liquid structure
liquid silicon
electric furnace
X-ray scattering
inelastic scattering
supercooling
Target Audience: 一般
Note (General): 高温融体内の原子の運動に関する実験的な知見は、融体の熱物性と構造の関係を理解する上で極めて重要である。我々は、高温融液の原子ダイナミクスの観察を目的として非弾性X線散乱用の小型の静電浮遊装置を開発し、融点および過冷却液体シリコンの動的構造因子を測定した。本装置を用いることにより液体シリコンのフォノンピークが明瞭に観察され、その分散関係が明らかになった。
The atomic dynamics in high temperature melts are essential information for the understanding of the relation between liquid structure and thermo-physical properties in liquid state. The small Electrostatic Levitation furnace, ESL, was developed for the inelastic X-ray scattering facility in SPring-8. The observation of dynamic liquid structure factor, S (Q, w) of normal and undercooled liquid silicon was performed. The phonon peak of S (Q, w) in the liquid silicon was clearly observed and its dispersion relation can be obtained.
資料番号: AA0063323004
レポート番号: JAXA-RR-06-015E
Source: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=2220&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=2220&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ