Simple thermodynamic equations to calculate driving force for In(x)Ga(1-x)As crystals which grow from their own melt

Material type: 文書・図像類

Author: 中村, 裕彦ほか

Publisher: 宇宙開発事業団

Publication date: 1999-09-30

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

NDC: -

View All

Notes on use

Note (General)：: InGaAs成長中の熱力学的促進力を評価するために、簡単な2格子過剰エンタルピーモデルを適用した。In-Ga-As系は、2格子モデルの正当性を保ちながらInAS-GaAs擬似2成分系に還元できることがわかった。固相に対する過剰エンタルピー項を推算するために微分格子パラメータモデルを適用した。結晶化プ...

Search by Bookstore

Holdings of Libraries in Japan

This page shows libraries in Japan other than the National Diet Library that hold the material.

List of Cooperating Institutions and Databases

Please contact your local library for information on how to use materials or whether it is possible to request materials from the holding libraries.

other

JAXA Repository
Digital
You can check the holdings of institutions and databases with which 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ） is linked at the site of 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）.
JAXA Repository

Search by Bookstore

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Digital

Material Type: 文書・図像類
Title: Simple thermodynamic equations to calculate driving force for In(x)Ga(1-x)As crystals which grow from their own melt
Author/Editor: 中村, 裕彦
徂徠, 正夫
石川, 正道
加藤, 浩和
依田, 真一
木下, 恭一
Nakamura, Hirohiko
Sorai, Masao
Ishikawa, Masamichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
Kinoshita, Kyoichi
Author Heading: 中村, 裕彦
徂徠, 正夫
石川, 正道
加藤, 浩和
依田, 真一
木下, 恭一
Nakamura, Hirohiko
Sorai, Masao
Ishikawa, Masamichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
Kinoshita, Kyoichi
Publication, Distribution, etc.: 宇宙開発事業団
Publication Date: 1999-09-30
Publication Date (W3CDTF): 1999-09-30
Alternative Title: 融液から成長するIn(x)Ga(1-x)Asの成長駆動力計算のための単純化した熱力学的関係式
Periodical title: 宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
Pages: 45-50
ISSN (Periodical Title): ISSN : 1345-7888
Text Language Code: eng
Subject Heading: InGaAs結晶
熱力学的促進力
2格子モデル
過剰エンタルピー
InAs-GaAs系
微分格子パラメータ
結晶化プロセス
熱力学方程式
状態図
液相線
固相線
InGaAs crystal
thermodynamic driving force
two lattice model
excess enthalpy
InAs GaAs system
differential lattice parameter
crystallization process
thermodynamic equation
phase diagram
liquidus
solidus
Target Audience: 一般
Note (General): InGaAs成長中の熱力学的促進力を評価するために、簡単な2格子過剰エンタルピーモデルを適用した。In-Ga-As系は、2格子モデルの正当性を保ちながらInAS-GaAs擬似2成分系に還元できることがわかった。固相に対する過剰エンタルピー項を推算するために微分格子パラメータモデルを適用した。結晶化プロセスの間の熱力学的促進力を計算するために、熱力学方程式を構築した。この方程式を用いて再構築した状態図により、相に関連する実験データを正しく説明することができた。
To evaluate thermodynamic driving force during the growth of InGaAs, simple two lattice excess enthalpy model was applied. It was found that the In-Ga-As system could be reduced to InAs-GaAs pseudo-binary system, keeping the validity of the two lattice model. A differential lattice parameter model was applied to estimate the excess enthalpy term for the solid phase. Thermodynamic equations were constructed to calculate the thermodynamic driving force during crystallization processes. Reconstructed phase diagram using the present equation well explained the experimental phase relation data.
資料番号: AA0002208006
レポート番号: NASDA-TMR-990006E
Source: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=40677&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=40677&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ