Preparation of InGaAs starting materials with the gradient InAs concentration

Material type: 文書・図像類

Author: 橋尾, 克司ほか

Publisher: 宇宙開発事業団

Publication date: 1999-09-30

Material Format: Digital

Capacity, size, etc.: -

NDC: -

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Note (General)：: 成分プロフィルを制御したIn(x)Ga(1-x)As多結晶を調製することを、通常の一方向凝固を用いつつ組成的過冷却を発生させることなく実現することができた。成長界面において40K/cmの高い温度勾配を設けることにより、成長速度を0.62mm/hまで減らした状態で組成的過冷却を抑制することに成功した。...

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Material Type: 文書・図像類
Title: Preparation of InGaAs starting materials with the gradient InAs concentration
Author/Editor: 橋尾, 克司
龍見, 雅美
加藤, 浩和
木下, 恭一
Hashio, Katsushi
Tatsumi, Masami
Kato, Hirokazu
Kinoshita, Kyoichi
Author Heading: 橋尾, 克司
龍見, 雅美
加藤, 浩和
木下, 恭一
Hashio, Katsushi
Tatsumi, Masami
Kato, Hirokazu
Kinoshita, Kyoichi
Publication, Distribution, etc.: 宇宙開発事業団
Publication Date: 1999-09-30
Publication Date (W3CDTF): 1999-09-30
Alternative Title: InAs濃度勾配を有するInGaAs原料の調整
Periodical title: 宇宙開発事業団技術報告 = NASDA Technical Memorandum
Pages: 51-56
ISSN (Periodical Title): ISSN : 1345-7888
Text Language Code: eng
Subject Heading: InGaAs
傾斜濃度
成分プロフィル
一方向凝固
組成的過冷却
温度勾配
成長速度
結晶成長
核形成
成長界面
gradient concentration
compositional profile
directional solidification
constitutional supercooling
temperature gradient
growth rate
crystal growth
nucleation
growth interface
Target Audience: 一般
Note (General): 成分プロフィルを制御したIn(x)Ga(1-x)As多結晶を調製することを、通常の一方向凝固を用いつつ組成的過冷却を発生させることなく実現することができた。成長界面において40K/cmの高い温度勾配を設けることにより、成長速度を0.62mm/hまで減らした状態で組成的過冷却を抑制することに成功した。組成的過冷却にある溶融体からの結晶成長において組成が周期的に変動することから、過冷却度は成長界面の前面で最大であり、その場所で核形成と成長が急激に起こっていると推察することができる。
Preparation of In(x)Ga(1-x)As polycrystals having a controlled compositional profile can be realized without occurrence of the constitutional supercooling by using normal directional solidification. Under a high temperature gradient of 40 K/cm at the growth interface, the constitutional supercooling has been successfully suppressed by reducing the growth rate to 0.62 mm/h. From the periodic fluctuation of the composition in the crystal grown from the constitutional supercooling melt, it is supposed that the degree of the supercooling becomes maximum in front of the growth interface, where nucleation and growth occur abruptly.
資料番号: AA0002208007
レポート番号: NASDA-TMR-990006E
Source: https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=40678&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=40678&item_no=1&attribute_id=31&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 宇宙航空研究開発機構 : 宇宙航空研究開発機構リポジトリ