文書・図像類

単一不純物制御シリコンナノエレクトロニクスに向けた原子スケール設計・評価技術創製

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単一不純物制御シリコンナノエレクトロニクスに向けた原子スケール設計・評価技術創製

Material type
文書・図像類
Author
水田, 博
Publisher
-
Publication date
2013-06-03
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

単一・少数不純物原子を含む極微細シリコンナノロッド、およびナノスタブ型トランジスタに対して、第一原理電子状態・非平衡量子輸送シミュレーションによる大規模解析を行い、ボーア半径と同程度のナノ構造内に埋め込まれたドーパント原子の電子状態と安定位置を解明した。実効的LUMO軌道の同定に際して、射影状態密度...

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Digital

Material Type
文書・図像類
Author/Editor
水田, 博
Author Heading
Publication Date
2013-06-03
Publication Date (W3CDTF)
2013-06-03
Alternative Title
Development of atom-scale design and characterization technique towards single-dopant controlled silicon nanoelectronics
Periodical title
科学研究費助成事業研究成果報告書
Pages
1-6
Text Language Code
jpn