溶液法を用いたSiC物質の創製

Material type: 文書・図像類

Author: 村上, 達也

Publisher: -

Publication date: 2020-06-02

Material Format: Digital

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Note (General)：: 液体SiCは、原料であるCyclopentasilane (CPS: Si5H10) に不飽和炭素化合物を混合し、光や熱を照射することで得る事が出来る。本研究を通し、CPSから生成する反応中間体 (活性種) に関する情報を初めて得る事ができた。具体的には、CPS光反応は室温の熱で発生した高次シランが...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 溶液法を用いたSiC物質の創製
Author/Editor: 村上, 達也
Author Heading: 村上, 達也
Publication Date: 2020-06-02
Publication Date (W3CDTF): 2020-06-02
Alternative Title: Creation of SiC materials using the solution method
Periodical title: 科学研究費助成事業研究成果報告書
Pages: 1-5
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 溶液プロセス
SiC
Target Audience: 一般
Note (General): 液体SiCは、原料であるCyclopentasilane (CPS: Si5H10) に不飽和炭素化合物を混合し、光や熱を照射することで得る事が出来る。本研究を通し、CPSから生成する反応中間体 (活性種) に関する情報を初めて得る事ができた。具体的には、CPS光反応は室温の熱で発生した高次シランが反応の起点になる、続いて、高次シランの光吸収によりケイ素活性種（silylene）が発生している、最後に、このsilyleneが不飽和炭化水素化合物の付加反応を誘起している事を見出した。今後は反応中間体構造の同定と「液体SiC→固体SiC」変換過程の構造・状態変化の解明に取り組む。研究成果の学術的意義や社会的意義：液体SiC材料は熱や光で脱水素化する事で半導体SiCとなる新物質である。このSiCは化学的安定性、高い機械強度、不純物ドーピングによるp/n 型特性の出現等、優れた特性を兼ね備えている。液体SiC分子内では、単独のSi とC物質では見られないH 転移･離脱反応が発現する。本研究の目的は「液体SiC」を舞台とし、脱水素化過程に伴う「液体SiC→固体SiC 相転移機構」を解明することである。そしてHの働きの理解の元でSiCの物性を引き出し、低摩耗性の機械保護膜や高耐熱SiC-TFT への応用等、過酷な環境下で動作可能な素子の開発を追及する。: Liquid SiC material is a new material that becomes semiconductor SiC by dehydrogenation by heat or light. This SiC has excellent properties such as chemical stability, high mechanical strength, and p/n-type properties due to doping. In the liquid SiC molecule, the H-transfer/leavage reaction occurs, which is not seen in single Si and C materials. The purpose of this study is to elucidate the mechanism of the liquid-SiC to solid-SiC phase transition during the dehydrogenation process. Based on the understanding of the function of H, the physical properties of SiC will be elucidated, and the development of devices that can operate under severe environments will be pursued, such as low abrasion mechanical protection films and applications to high heat-resistant SiC-TFTs.
基盤研究(C)（一般）
研究期間：2017～2019
課題番号：17K06013
研究者番号：90397232
研究分野：酸化物エレクトロニクス
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/16749
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ