AlTiO絶縁膜を用いたGaN系MISデバイスにおけるノーマリーオフ動作のための界面電荷エンジニアリング

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Material Type: 博士論文
Title: AlTiO絶縁膜を用いたGaN系MISデバイスにおけるノーマリーオフ動作のための界面電荷エンジニアリング
Author/Editor: NGUYEN, DAI DUONG
Author Heading: NGUYEN, DAI DUONG
Publication Date: 2022-03
Publication Date (W3CDTF): 2022-03
Degree grantor/type: 北陸先端科学技術大学院大学
Date Granted: 2022-03-24
Dissertation Number: 甲第1303号
Degree Type: 博士(マテリアルサイエンス)
Text Language Code: eng
Subject Heading: III-V compound semiconductor
AlGaN/GaN
AlTiO
interface charge engineering
normally-off operation
Target Audience: 一般
Note (General): Supervisor: 鈴木寿一
先端科学技術研究科
博士
identifier:https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/handle/10119/17767
Format (IMT): application/pdf
Source: fulltext
https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/17767/4/abstract.pdf
fulltext
https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/17767/5/paper.pdf
fulltext
https://dspace.jaist.ac.jp/dspace/bitstream/10119/17767/1/summary.pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 北陸先端科学技術大学院大学 : JAIST学術研究成果リポジトリ