3次元実装用低ひずみ・高アスペクト比TSV開発

Material type: 文書・図像類

Author: 大貫,, 仁ほか

Publisher: 茨城大学理学部

Publication date: 2016-06-20

Material Format: Digital

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Note (General)：: application/pdf研究報告書研究成果の概要（和文）：3次元配線実装技術の中心的課題が最短配線技術（Cu-TSV）であり、その低低抗率化は不可欠な課題であるが、正確な値が公表されていない。本研究では、低抗率測定用TEGパターンの設計および低抗率評価を行うとともにデータの検証も行った。得...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 3次元実装用低ひずみ・高アスペクト比TSV開発
Author/Editor: 大貫,, 仁
ONUKI,, Jin
Author Heading: 大貫,, 仁
ONUKI,, Jin
Publication, Distribution, etc.: 茨城大学理学部
Publication Date: 2016-06-20
Publication Date (W3CDTF): 2016-06-20
Alternative Title: Low strain and high aspect ratio Cu-TSVs
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
研究報告書
研究成果の概要（和文）：3次元配線実装技術の中心的課題が最短配線技術（Cu-TSV）であり、その低低抗率化は不可欠な課題であるが、正確な値が公表されていない。本研究では、低抗率測定用TEGパターンの設計および低抗率評価を行うとともにデータの検証も行った。得られた結果を以下に示す。1)直径10μm,深さ80nmのCu-TSVの低抗率は4.13μΩ ・cmとバルクCuよりも高い。2)Cu-TSVには50nm以下の結晶粒の存在比が27%も存在し、この小さい結晶粒が電子の散乱を引き起こして低抗率を増大させたと考えられる。3)Cl,Oおよび金属元素からなる不純物が粒界に存在し、粒成長を抑制したと考えられる。研究成果の概要（英文）：We manufactured a new TEG patterns, and evaluated the resistivity and nano-microstructures of Cu-TSVs. Following results were obtained.1)Resistivity of Cu-TSVs was found to be 4.13μΩ・cm. 2)Existence ration of small grains less than 50nm was also found by X-ray diffraction and EBSD analysis.3)Impurities consisting of Cl,O, and metal elements were found in nano-grain boundaries by STEM. The impurities prevented grain growth during annnealing.
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 茨城大学 : 茨城大学学術情報リポジトリ