分子磁性伝導体による磁場応答トランジスタの開発

Material type: 文書・図像類

Author: 西川,, 浩之ほか

Publisher: 茨城大学理学部

Publication date: 2018-06-15

Material Format: Digital

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Note (General)：: application/pdf科研費報告書研究成果の概要（和文）：分子性導体の主要構成分子であるテトラチアフルバレン（TTF）誘導体が常磁性金属イオンであるCu(II)イオンに配位したTTF-金属錯体を用いた電界効果トランジスタ（FET）の特性を向上させるため，TTF-金属錯体の誘導体を新たに合成し...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 分子磁性伝導体による磁場応答トランジスタの開発
Author/Editor: 西川,, 浩之
Nishikawa,, Hiroyuki
Author Heading: 西川,, 浩之
Nishikawa,, Hiroyuki
Publication, Distribution, etc.: 茨城大学理学部
Publication Date: 2018-06-15
Publication Date (W3CDTF): 2018-06-15
Alternative Title: Development of magnetic field responsive transistor based on molecular　conductors
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
科研費報告書
研究成果の概要（和文）：分子性導体の主要構成分子であるテトラチアフルバレン（TTF）誘導体が常磁性金属イオンであるCu(II)イオンに配位したTTF-金属錯体を用いた電界効果トランジスタ（FET）の特性を向上させるため，TTF-金属錯体の誘導体を新たに合成し特性の向上を達成した。また，新しいシッフ塩基型錯体としてTTF部位を持たないsalphen錯体が大気中で安定に作動するFETデバイスを与えることを見出した。さらに，よりスピン多重度が大きな金属イオンと配位可能な新規TTF-配位子，ならびにその錯体の合成に成功し，強磁性相互作用を示すキューブ錯体や水素結合ネットワークを有する一次元チューブ状錯体の開発に成功した。研究成果の概要（英文）：In order to improve field effect transistor (FET) performance of the thin　film devices composed of the TTF-metal complex (TTF = tetrathiafulvalene) where TTF moieties　coordinate to a paramagnetic metal ions such as Cu(II) ion, new derivatives of the TTF-metal complex　were synthesized and the device performance was improved. We also developed an air-stable FET　device based on salphen complexes which are non-TTF type metal complex. We succeeded in the　development new TTF-ligands capable for coordination to paramagnetic metal ions with much higher　spin multiplicity, and found a cubic complex with ferromagnetic interaction between metal ions and a　one-dimensional tubular complex with a hydrogen bond network
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 茨城大学 : 茨城大学学術情報リポジトリ