AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性

• Material Type: 文書・図像類
• Title: AlGaN/GaN HEMTにおける1/f雑音特性の表面保護膜依存性
• Author/Editor: 松島, 孝典; 中嶋, 正裕; 野本, 一貴; 佐藤, 政孝; 中村, 徹; MATSUSHIMA, Takanori; NAKAJIMA, Masahiro; Nomoto, Kazuki; SATOH, Masataka; NAKAMURA, Tohru
• Author Heading: 松島, 孝典; 中嶋, 正裕; 野本, 一貴; 佐藤, 政孝; 中村, 徹; MATSUSHIMA, Takanori; NAKAJIMA, Masahiro; Nomoto, Kazuki; SATOH, Masataka; NAKAMURA, Tohru
• Publication, Distribution, etc.: 電子情報通信学会
• Publication Date: 2006-11-17
• Publication Date (W3CDTF): 2006-11-17
• Alternative Title: Surface passivation dependency of 1/f noise characterization in AlGaN/GaN HEMT
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
• No. or year of volume/issue: 106 379
• Volume: 106
• Issue: 379
• Pages: 27-31
• ISSN (Periodical Title): ISSN : 09135685
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: AlGaN; GaN HEMT; 1; f雑音; 表面保護膜; PECVD; スパッタ; 1/f noise; Surface Passivation; Spatter
• Target Audience: 一般
• Note (General): 信学技報 Technical Report of IEICE. R2006-36,ED2006-181,SDM2006-199
• Format (IMT): application/pdf
• Source: k_R015IEICE03.pdf （fulltext）; https://hosei.ecats-library.jp/da/repository/00005423/k_R015IEICE03.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Rights (production): Copyright (C) 2006, IEICE; 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
• Related Material (NCID): AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• Related Material (NAID): 110005717276; https://ci.nii.ac.jp/naid/110005717276
• Periodical Title (NCID): AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 法政大学 : 法政大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: AlGaN/GaN HEMTの電気特性は表面保護膜の種類や膜厚によって大きく影響を受けることが知られている。本研究では、AlGaN/GaN HEMTにおける表面保護膜が1/f雑音に与える影響を調べた。表面保護膜SiN膜の成長条件が1/f雑音特性におよぼす影響を評価・検討した。スパッタ法で形成した表面...