SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討

• Material Type: 文書・図像類
• Title: SiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法がHBT特性に与える影響の検討
• Author/Editor: 清田, 幸弘; 小田, 克矢; 大植, 栄司; 速水, 礼子; 近藤, 将夫; 鷲尾, 勝由; 田邊, 正倫; 島本, 裕巳; 山口, 修; 稲田, 太郎; KIYOTA, Yukihiro; ODA, Katsuya; OHUE, Eiji; HAYAMI, Reiko; KONDO, Masao; WASHIO, Katsuyoshi; TANABE, Masamichi; SHIMAMOTO, Hiromi; YAMAGUCHI, Osamu; INADA, Taroh
• Author Heading: 清田, 幸弘; 小田, 克矢; 大植, 栄司; 速水, 礼子; 近藤, 将夫; 鷲尾, 勝由; 田邊, 正倫; 島本, 裕巳; 山口, 修; 稲田, 太郎; KIYOTA, Yukihiro; ODA, Katsuya; OHUE, Eiji; HAYAMI, Reiko; KONDO, Masao; WASHIO, Katsuyoshi; TANABE, Masamichi; SHIMAMOTO, Hiromi; YAMAGUCHI, Osamu; INADA, Taroh
• Publication, Distribution, etc.: 電子情報通信学会
• Publication Date: 2000-10-13
• Publication Date (W3CDTF): 2000-10-13
• Alternative Title: Effect of pre-cleaning of SiGe selective epitaxial growth on HBT characteristics
• Periodical title: 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス
• No. or year of volume/issue: 374
• Issue: 374
• Pages: 39-43
• ISSN (Periodical Title): ISSN : 09135685
• Text Language Code: jpn
• Subject Heading: UHVCVD; SiGe選択エピタキシャル成長; H_2アニール; HBT
• Target Audience: 一般
• Format (IMT): application/pdf
• Source: k_R036JEICE30.pdf （fulltext）; https://hosei.ecats-library.jp/da/repository/00005501/k_R036JEICE30.pdf
• Access Restrictions: 限定公開
• Rights (production): Copyright (C) 2000, IEICE; 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである
• Related Material (NCID): AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• Related Material (NAID): 110003310684; https://ci.nii.ac.jp/naid/110003310684
• Periodical Title (NCID): AN10013254; https://ci.nii.ac.jp/ncid/AN10013254
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 法政大学 : 法政大学学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: UHVCVDによるSiGe選択エピタキシャル成長前の基板表面清浄化方法として, 大流量H_2アニール, 高真空アニール, Si_2H_6によるガスエッチを検討した。その結果, 基板表面の酸素, 炭素, ボロンなどを完全に除去するためにはH_2アニールが必須であることがわかった。高真空アニールやSi_...