GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御 [論文内容及び審査の要旨]

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Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers
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Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers

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Material Type: 博士論文
Title: GaN HEMTにおける表面起因の動作不安定性とAl2O3 MOS構造による制御 [論文内容及び審査の要旨]
Author/Editor: 西口, 賢弥
Author Heading: 西口, 賢弥
Publication, Distribution, etc.: Hokkaido University
Publication Date: 2018-03-22
Publication Date (W3CDTF): 2018-03-22
Alternative Title: Surface-related operation instabilities of GaN HEMTs and their control using Al2O3-based MOS structures [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
Contributor: 本久, 順一
葛西, 誠也
佐野, 栄一
橋詰, 保
Degree grantor/type: 北海道大学
Dissertation Number: 甲第13083号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
NDC: 500
Target Audience: 一般
Note (General): (主査) 教授本久順一, 教授葛西誠也, 特任教授佐野栄一, 教授橋詰保
情報科学研究科（情報エレクトロニクス専攻）
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Rights (production): Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 4.0 International
References (URI): HDL
http://hdl.handle.net/2115/70528
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 北海道大学 : 北海道大学学術成果コレクション