III-V族化合物半導体ナノワイヤヘテロ構造の成長と電子デバイス応用 [論文内容及び審査の要旨]

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Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers
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Hokkaido University Collection of Scholarly and Academic Papers

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Material Type: 博士論文
Title: III-V族化合物半導体ナノワイヤヘテロ構造の成長と電子デバイス応用 [論文内容及び審査の要旨]
Author/Editor: 蒲生, 浩憲
Author Heading: 蒲生, 浩憲
Publication, Distribution, etc.: Hokkaido University
Publication Date: 2023-03-23
Publication Date (W3CDTF): 2023-03-23
Alternative Title: Growth of III-V Compound Semiconductor Nanowire Heterostructures and Their Electron Device Applications [an abstract of dissertation and a summary of dissertation review]
Contributor: 本久, 順一
葛西, 誠也
池辺, 将之
Degree grantor/type: 北海道大学
Dissertation Number: 甲第15539号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
NDC: 500
Target Audience: 一般
Note (General): (主査) 教授本久順一, 教授葛西誠也, 教授池辺将之
情報科学院(情報科学専攻)
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Rights (production): Creative Commons Attribution 4.0 International
References (URI): HDL
http://hdl.handle.net/2115/89761
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 北海道大学 : 北海道大学学術成果コレクション