ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索

Material type: 文書・図像類

Author: 竹内, 和歌奈

Publisher: 愛知工業大学

Publication date: 2021-11

Material Format: Digital

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Note (General)：: identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/3967

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Material Type: 文書・図像類
Title: ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索
Author/Editor: 竹内, 和歌奈
Author Heading: 竹内, 和歌奈
Publication, Distribution, etc.: 愛知工業大学
Publication Date: 2021-11
Publication Date (W3CDTF): 2021-11
Alternative Title: ビニルシランオモチイタ SiC ハクマクケイセイノ in-situ リンドーピングゲンリョウタンサク
Periodical title: 総合技術研究所研究報告=Bulletin of Research Institute for Industrial Technology.
No. or year of volume/issue: 23
Volume: 23
Pages: 74-75
ISSN (Periodical Title): ISSN : 1344-9672
Text Language Code: jpn
Subject Heading: シリコンカーバイド（SiC）
半導体電極
Target Audience: 一般
Note (General): identifier:http://repository.aitech.ac.jp/dspace/handle/11133/3967
Source: http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/3967/3/%e7%b7%8f%e7%a0%9423%e5%8f%b7%e4%b8%80%e8%88%ac%e7%a0%94%e7%a9%b6%e6%88%90%e6%9e%9c%e6%a6%82%e8%a6%8106%28p74-75%29.pdf
http://repository.aitech.ac.jp/dspace/bitstream/11133/3967/3/%e7%b7%8f%e7%a0%9423%e5%8f%b7%e4%b8%80%e8%88%ac%e7%a0%94%e7%a9%b6%e6%88%90%e6%9e%9c%e6%a6%82%e8%a6%8106%28p74-75%29.pdf
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 愛知工業大学 : 愛知工業大学学術情報リポジトリ