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Table of Contents
66(2) 1997.02
- 単電子デバイス・回路の研究状況と今後の展望
p.99~108
- 実用化段階を迎えた有機発光(EL)素子
p.109~116
- 面発光半導体レーザー
p.117~122
- 化合物半導体デバイスのシミュレーション
p.123~126
- InP系高電子移動度トランジスタ(HEMT)を用いた超高速集積回路
p.127~131
66(4) 1997.04
- 銅酸化物超伝導体の研究展開--物質と化学の側面から
p.322~332
- 銅酸化物超伝導体の表面・界面制御
p.333~338
- 気相法によるイットリウム系超伝導線材の開発
p.339~344
- ラマン分光法による生体微量物質の高感度定量分析
p.345~350
- 高温超伝導体の移動体通信への応用--基地局用マイクロ波フィルター
p.351~355
66(1) 1997.01
- 宇宙測地技術で測る地球の変形
p.2~8
- 光マイクロマシン
p.9~14
- ビスマス系酸化物超伝導体における固有ジョセフソン接合
p.15~19
- 高磁場NMR用超伝導マグネットの開発
p.20~24
- 光多重散乱によるレーザー発振
p.25~28
66(3) 1997.03
- 核磁気共鳴法の現状と将来
p.214~221
- MOSトランジスタの開発小史--バイポーラトランジスタの不良解析から
p.222~227
- フォトクロミック光メモリー
p.228~234
- 負性電子親和力ダイヤモンド半導体--ディスプレイ材料としての可能性
p.235~241
- GaAsのドライエッチング損傷の微細構造評価
p.242~246
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0369-8009
- ISSN-L
- 0369-8009
- Title
- Title Transcription
- オウヨウ ブツリ
- Volume
- 66(1)-66(4) 19970100-19970400
- Author Heading
- 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1997
- Publication Date (W3CDTF)
- 1997