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Table of Contents
65(2) 1996.02
- InP系化合物半導体材料およびデバイスの新展開
p.108~118
- 化合物半導体のDXセンターと双安定性
p.119~125
- 固体中のシングルイベント計測とその応用
p.126~131
- InGaP/GaAsヘテロ構造の電子素子への応用
p.132~137
- GaAsおよびSi中のErの4f殻発光強度の増強
p.138~142
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0369-8009
- ISSN-L
- 0369-8009
- Title
- Title Transcription
- オウヨウ ブツリ
- Volume
- 65巻2号 1996年2月
- Author Heading
- 応用物理学会 オウヨウ ブツリ ガッカイ ( 00281497 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1996
- Publication Date (W3CDTF)
- 1996