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Table of Contents
9(2) 1975.03
- ボロンを添加したβ-SiCのルミネッセンスー2-
p45~51
- 負の電子親和力表面を有する電子放出素子
p53~63
8(2) 1974.03
- GaAs,GaP(111B)面の清浄化
p.41~46
- 新しい集束偏向系を用いた全静電型ビジコンの試作
p.47~52
6(1) 1971.11
- Si融液からのβ-SiCの結晶成長
p.1~5
- In1-x GaxP混晶の成長と発光ダイオードの製作
p.19~23
- Csで活性化したCsI透過形二次電子面
p.25~30
- ガン効果素子における発光現象
p.31~38
5(2) 1971.06
- GaP on GaAs液相エピタキシャル成長-1-
p.57~66
- HgTe結晶の熱処理と電気的性質
p.67~78
- CdS単結晶をターゲットに用いた光導電形撮像管
p.79~87
- 光導電体-ダイオードを用いた固体撮像装置
p.89~98
7(1) 1972.10
- 堀井隆教授退官記念号
p.1~18,143~144
5(1) 1970.10
- 湿気の電子部品への影響についての考察
p.5~11
- CsI透過形二次電子面-2-
p.13~20
- GaAsへのZn拡散-1-
p.21~27
- ガンダイオードの雑音測定
p.29~35
9(1) 1974.11
- マイクロ波抵抗減衰器の広帯域化について
p.1~10
- Sb1-xBixSIの誘電的性質
p.11~17
- 多開孔結像による面内変位二成分のモアレ計測
p.19~25
- 直交二重姿態空胴マイクロ波ブリッジの光導電検出器への応用
p.27~36
6(2) 1972.03
- 非晶質As2Se3:Agの電気伝導
p.39~44
- 定組成In1xGaxPの溶液成長法
p.45~50
- 極端紫外領域におけるCaAsからの光電子放出
p.51~59
- マイクロ波発振器の雑音測定装置
p.61~66
- マイクロ波固体発振器の雑音特性
p.67~72
7(2) 1973.03
- 無定形As2Se3の導電率の周波数特性-2-
p.145~152
- 反応蒸着法で作製した窒化チタニウム薄膜
p.153~157
- GaP on GaAs液相エピタキシャル成長-2-p-nヘテロ接合
p.159~165
- InxGa1-xAs混晶光電面の製作
p.167~171
- LEED 及びオージェ電子分析によるGaAs(110)表面の研究
p.173~181
8(1) 1973.09
- X線の異状分散によるCdSの極性の決定
p.7~10
- Cs2CO3を用いたCsイオン銃の試作
p.11~16
- In,O添加拡散型GaP緑色発光ダイオード
p.17~22
- 一次元集積化スキャニスタ
p.23~32
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- Title
- Title Transcription
- シズオカ ダイガク デンシ コウガク ケンキュウジョ ケンキュウ ホウコク
- Volume
- 5(1)-9(2) 19701000-19750300
- Author Heading
- 静岡大学電子工学研究所 シズオカ ダイガク デンシ コウガク ケンキュウジョ
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1970-1975
- Publication Date (W3CDTF)
- 1970-1975
- Year and volume of publication
- 1巻1号 (1966)-v. 30, no. 3(1995) ; 31巻 (1996)-38巻 (2003)
- Size
- 30cm