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Table of Contents
54(12) 1999.12
- 原子レベルでの固液界面構造解析
p.947~953
- 解説 第一原理計算で探る半導体エピタキシャル成長
p.954~961
- 解説 高エネルギー重イオン衝突実験の目指す物理
p.961~968
- 実験技術 1軸性ひずみによる物性制御
p.969~974
- 単一光子ターンスタイル(回転ドア)素子
p.975~978
54(9) 1999.09
- 水の物性に見る量子化学的および古典統計的自由度の結合
p.696~701
- 金属表面での磁性原子の振舞--近藤効果の実空間像
p.702~707
- X線で見る界面の原子配列
p.708~715
- カオス的トンネル効果
p.716~725
- CPの破れの起源をめぐって
p.726~729
54(10) 1999.10
- 周波数(波長)標準と物理学の出会うところ
p.781~787
- 電磁気量標準の成り立ち
p.787~792
- 解説 重力崩壊における臨界現象
p.793~801
- 実験技術 近接場光学顕微鏡による単一粒子分光
p.802~809
- 高温超伝導体における固有ジョセフソン接合系の非線形ダイナミクス
p.810~814
54(11) 1999.11
- 今までの研究を振り返って
p.857~861
- コンプトン効果今昔物語--新しい光を求めて
p.862~868
- 解説 シリコン表面における孤立したナノ構造の緩和過程
p.869~877
- 高温用電気抵抗・熱電能測定装置
p.878~883
- くじ引で解く少数多体系の束縛状態
p.884~888
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0029-0181
- ISSN-L
- 0029-0181
- Title
- Title Transcription
- ニホン ブツリ ガッカイシ
- Volume
- 54(9)-54(12) 19990900-19991200(付録共/別綴:付録)
- Author Heading
- 日本物理学会 ニホン ブツリ ガッカイ ( 00258318 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 1999
- Publication Date (W3CDTF)
- 1999