電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan

• Material Type: 雑誌
• Title: 電気学会研究会資料
• Title Transcription: デンキ ガッカイ ケンキュウカイ シリョウ
• Volume: 2017(52-65・67-73):2017.11.20
• Part Title: EDD
• Author/Editor: 電子デバイス研究会 [編]
• Author Heading: 電気学会 デンキ ガッカイ ( 00259505 )Authorities
• Publication, Distribution, etc.: 東京 : 電気学会
• Publication Date: 2017
• Publication Date (W3CDTF): 2017
• Year and volume of publication: [ ]-
• Size: 25-30cm
• Alternative Title: The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan; The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: ZN33
• Note (General): 本タイトル等は最新号による; 2002-1以降の並列タイトル: The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan; 「電気学会研究会資料. SPC」と合同刊行のこともあり
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Z43-225
• Related Material: 関連資料; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000047013
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000047028; http://id.ndl.go.jp/bib/000000047028
• National Bibliography No. (JPNO): 00052547
• Cataloging Rule: National Diet Library Cataloging Rules for Serials
• Bibliographic Record Category (NDL): 131

Table of Contents

高耐圧デバイスの有効面積効率を改善する高アスペクト比ディープトレンチ終端(HARDT²)技術 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

解析モデルを用いたGaNワンチップ変換器における発熱密度の試算 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

SiC-MOSFETにおける短絡耐量と特性オン抵抗のトレードオフ関係の評価 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

5000V SiC双方向スーパージャンクションMOSFETの特性予測 (電子デバイス 半導体電力変換合同研究会 パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)