Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method

• Material Type: 博士論文
• Title: Characterization of deep impurity levels in semiconductor devices by the junction capacitance method
• Author/Editor: 熊谷修 [著]
• Author Heading: 熊谷, 修 クマガイ, オサム
• Extent: 冊
• Alternative Title: 接合容量法による半導体素子中の深い不純物準位の解析 セツゴウ ヨウリョウホウ ニ ヨル ハンドウタイ ソシチュウ ノ フカイ フジュンブツ ジュンイ ノ カイセキ
• Degree grantor/type: 大阪大学
• Date Granted: 昭和59年2月15日
• Date Granted (W3CDTF): 1984
• Dissertation Number: 乙第3305号
• Degree Type: 工学博士
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• NDLC: UT51; UT31
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-59-F577
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000000199390; http://id.ndl.go.jp/bib/000000199390
• Bibliographic Record Category (NDL): 213