博士論文

MOSゲートを有するシリコンP[+]-i-n[+]ダイオードの電気的特性に関する研究

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MOSゲートを有するシリコンP[+]-i-n[+]ダイオードの電気的特性に関する研究

Call No. (NDL)
UT51-59-E637
Bibliographic ID of National Diet Library
000000206161
Material type
博士論文
Author
崔一[エイ] [著]
Publisher
-
Publication date
-
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
Name of awarding university/degree
東海大学,工学博士
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博士論文

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Paper

Material Type
博士論文
Title Transcription
MOS ゲート オ ユウスル シリコン P+-i-n+ ダイオード ノ デンキテキ トクセイ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
崔一[エイ] [著]
Author Heading
崔, 一[エイ] サイ, カズエイ
Extent
Degree grantor/type
東海大学
Date Granted
昭和59年3月25日
Date Granted (W3CDTF)
1984
Dissertation Number
甲第43号