化合物半導体Siイオン打ち込みGaAsとZn添加P型InSeの光学的および電気的性質に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: 化合物半導体Siイオン打ち込みGaAsとZn添加P型InSeの光学的および電気的性質に関する研究
Title Transcription: カゴウブツハンドウタイ Si イオンウチコミ GaAs ト Zn テンカ Pガタ InSe ノコウガクテキオヨビデンキテキセイシツニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 重冨茂 [著]
Author Heading: 重冨, 茂シゲトミ, シゲル
Extent: 冊
Degree grantor/type: 東海大学
Date Granted: 昭和59年3月25日
Date Granted (W3CDTF): 1984
Dissertation Number: 甲第44号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
UT31
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-59-E638
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000206162
http://id.ndl.go.jp/bib/000000206162
Bibliographic Record Category (NDL): 213