次世代半導体デバイス開発のための高性能二次イオン質量分析法の研究

次世代半導体デバイス開発のための高性能二次イオン質量分析法の研究

Call No. (NDL): UT51-2002-B289
Bibliographic ID of National Diet Library: 000000417929

Material type: 博士論文

Author: 山崎英之 [著]

Publisher: [山崎英之]

Publication date: [2001]

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 1冊

Name of awarding university/degree: 東京大学,博士 (工学)

Notes on use

Note (General)：: 博士論文

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type: 博士論文
Title: 次世代半導体デバイス開発のための高性能二次イオン質量分析法の研究
Title Transcription: ジセダイハンドウタイデバイスカイハツノタメノコウセイノウニジイオンシツリョウブンセキホウノケンキュウ
Author/Editor: 山崎英之 [著]
Author Heading: 山崎, 英之ヤマザキ, ヒデユキ
Publication, Distribution, etc.: [山崎英之]
Publication Date: [2001]
Publication Date (W3CDTF): 2001
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 東京大学
Date Granted: 平成13年2月8日
Date Granted (W3CDTF): 2001
Dissertation Number: 乙第14948号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2002-B289
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000000417929
http://id.ndl.go.jp/bib/000000417929
Bibliographic Record Category (NDL): 213