半導体デバイスの静電気障害回避技術に関するガイドライン (R ; 6. ES ; 01)

半導体デバイスの静電気障害回避技術に関するガイドライン

(R ; 6. ES ; 01)

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Material Type: 図書
Title: 半導体デバイスの静電気障害回避技術に関するガイドライン
Title Transcription: ハンドウタイデバイスノセイデンキショウガイカイヒギジュツニカンスルガイドライン
Series Title: R ; 6. ES ; 01
Author Heading: 日本電子部品信頼性センターニホンデンシブヒンシンライセイセンター ( 00293467 )Authorities
Publication, Distribution, etc.: 東京 : 日本電子部品信頼性センター
Publication Date: 1995.3
Publication Date (W3CDTF): 1995
Extent: 77p
Size: 30cm
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体ハンドウタイ ( 00562913 )Authorities
静電気セイデンキ ( 00570281 )Authorities
帯電防止タイデンボウシ ( 00572502 )Authorities
NDC 8th ed.: 549.8
NDLC: ND371
Target Audience: 一般
Note (Bibliography): 各章末: 参考文献
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: ND371-G7
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000002463893
http://id.ndl.go.jp/bib/000002463893
National Bibliography No. (JPNO): 96026261
Cataloging Rule: Nippon Cataloging Rules, Preliminary New Edition
Bibliographic Record Category (NDL): 111