InGaAlPとGaAsによるヘテロ接合を用いた短波長半導体レーザの高性能化に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: InGaAlPとGaAsによるヘテロ接合を用いた短波長半導体レーザの高性能化に関する研究
Title Transcription: InGaAlP ト GaAs ニヨルヘテロセツゴウオモチイタタンハチョウハンドウタイレーザノコウセイノウカニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 板谷和彦 [著]
Author Heading: 板谷, 和彦イタヤ, カズヒコ
Publication, Distribution, etc.: [板谷和彦]
Publication Date: [2002]
Publication Date (W3CDTF): 2002
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 東京大学
Date Granted: 平成14年3月14日
Date Granted (W3CDTF): 2002
Dissertation Number: 乙第15308号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2003-D291
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000004107576
http://id.ndl.go.jp/bib/000004107576
Bibliographic Record Category (NDL): 213