Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system

• Material Type: 博士論文
• Title: Fabrication and retention property of ferroelectric gate capacitors using YMnO3/Y2O3/Si epitaxial system
• Author/Editor: Daisuke Ito [著]
• Author Heading: 伊藤, 大輔 イトウ, ダイスケ
• Publication, Distribution, etc.: [Daisuke Ito]
• Publication Date: 2003
• Publication Date (W3CDTF): 2003
• Extent: 1冊
• Alternative Title: エピタキシャルYMnO3/Y2O3/Siを用いた強誘電体ゲートキャパシタの作製とその記憶保持特性 エピタキシャル YMnO3 Y2O3 Si オ モチイタ キョウユウデンタイ ゲート キャパシタ ノ サクセイ ト ソノ キオク ホジ トクセイ
• Degree grantor/type: 大阪府立大学
• Date Granted: 平成15年3月31日
• Date Granted (W3CDTF): 2003
• Dissertation Number: 甲第828号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2003-E149
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000004132020; http://id.ndl.go.jp/bib/000004132020
• Bibliographic Record Category (NDL): 213