二次イオン質量分析法による半導体デバイス中不純物の定量・深さ分析に関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: 二次イオン質量分析法による半導体デバイス中不純物の定量・深さ分析に関する研究
Title Transcription: ニジイオンシツリョウブンセキホウニヨルハンドウタイデバイスチュウフジュンブツノテイリョウフカサブンセキニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 富田充裕 [著]
Author Heading: 富田, 充裕トミタ, ミツヒロ
Publication, Distribution, etc.: [富田充裕]
Publication Date: 2003
Publication Date (W3CDTF): 2003
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 京都大学
Date Granted: 平成15年3月24日
Date Granted (W3CDTF): 2003
Dissertation Number: 乙第11215号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2003-H877
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000004199634
http://id.ndl.go.jp/bib/000004199634
Bibliographic Record Category (NDL): 213