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博士論文

Quantum theoretical approach to understand growth kinetics of 3-nitride on GaAs surface under an atmosphere of hydrogen : To obtain high quality 3-nitride semiconductor

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Quantum theoretical approach to understand growth kinetics of 3-nitride on GaAs surface under an atmosphere of hydrogen : To obtain high quality 3-nitride semiconductor

Call No. (NDL)
UT51-2004-B166
Bibliographic ID of National Diet Library
000004354079
Material type
博士論文
Author
Yuriko Matsuo [著]
Publisher
[Yuriko Matsuo]
Publication date
2003
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
1冊
Name of awarding university/degree
東京農工大学,博士 (工学)
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Note (General):

博士論文

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
博士論文
Author/Editor
Yuriko Matsuo [著]
Author Heading
松尾, 有里子 マツオ, ユリコ
Publication, Distribution, etc.
Publication Date
2003
Publication Date (W3CDTF)
2003
Extent
1冊
Alternative Title
常圧水素雰囲気下におけるGaAs表面上3族窒化物の成長動力学への量子論的アプローチ : 高品質3族窒化物半導体の作製に向けて ジョウアツ スイソ フンイキカ ニ オケル GaAs ヒョウメンジョウ 3ゾク チッカブツ ノ セイチョウ ドウリキガク エノ リョウシロンテキ アプローチ : コウヒンシツ 3ゾク チッカブツ ハンドウタイ ノ サクセイ ニ ムケテ
Degree grantor/type
東京農工大学