原子ステツプ制御エピタキシー法によるSiC純正結晶製作とパワーデバイスへの応用

• Material Type: 図書
• Title: 原子ステツプ制御エピタキシー法によるSiC純正結晶製作とパワーデバイスへの応用
• Title Transcription: ゲンシ ステツプ セイギョ エピタキシーホウ ニ ヨル SiC ジュンセイ ケッショウ セイサク ト パワーデバイス ヘ ノ オウヨウ
• Author/Editor: 松波, 弘之, 京都大学
• Author Heading: 松波, 弘之 マツナミ, ヒロユキ
• Publication Date: 1990-1991
• Publication Date (W3CDTF): 1990
• Extent: 冊
• Additional Title: 研究種目 試験研究(B)
• Subject Heading: シリコンカーバイド シリコンカーバイド; パワーデバイス パワーデバイス; 絶縁破壊電界 ゼツエンハカイデンカイ; 低温成長 テイオンセイチヨウ; ポリタイプ制御 ポリタイプセイギヨ; ステツプフロー成長 ステツプフローセイチヨウ
• NDLC: Y151
• Note (General): 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 02555059
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Y151-H02555059
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000006978749; http://id.ndl.go.jp/bib/000006978749
• Bibliographic Record Category (NDL): 214