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光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用

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光励起CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とメモリデバイスへの応用

Call No. (NDL)
Y151-H04452176
Bibliographic ID of National Diet Library
000006986138
Material type
図書
Author
塩崎, 忠, 京都大学
Publisher
-
Publication date
1992-1993
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
ヒカリレイキ CVD ホウ ニ ヨル PZT ケイ キョウ ユウデンタイ ハクマク ノ サクセイ ト メモリデバイス ヘ ノ オウヨウ
Author/Editor
塩崎, 忠, 京都大学
Author Heading
塩崎, 忠, 1944- シオサキ, タダシ, 1944- ( 00145880 )Authorities
Publication Date
1992-1993
Publication Date (W3CDTF)
1992
Extent
Additional Title
研究種目 一般研究(B)
Subject Heading
PZT薄膜 PZTハクマク
光MOCVD ヒカリMOCVD
オゾン オゾン
リーク特性 リークトクセイ
絶縁破壊電圧 ゼツエンハカイデンアツ
バツフア層 バツフアソウ
スイツチング速度 スイツチングソクド
ドメイン ドメイン