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陽電子消滅法によるGaAs結晶中の低濃度格子欠陥の挙動に関する研究

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陽電子消滅法によるGaAs結晶中の低濃度格子欠陥の挙動に関する研究

Call No. (NDL)
Y151-H04650030
Bibliographic ID of National Diet Library
000006987910
Material type
図書
Author
伊東, 芳子, 理化学研究所
Publisher
-
Publication date
1992-1993
Material Format
Paper
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

文部省科学研究費補助金研究成果報告書

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Bibliographic Record

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Paper

Material Type
図書
Title Transcription
ヨウデンシ ショウメツホウ ニ ヨル GaAs ケッショウ チュウ ノ テイノウド ゴウシ ケッカン ノ キョドウ ニ カンスル ケンキュウ
Author/Editor
伊東, 芳子, 理化学研究所
Author Heading
伊東, 芳子 イトウ, ヨシコ
Publication Date
1992-1993
Publication Date (W3CDTF)
1992
Extent
Additional Title
研究種目 一般研究(C)
Subject Heading
陽電子消滅 ヨウデンシシヨウメツ
陽電子消滅ドツプラー拡がり ヨウデンシシヨウメツドツプラーヒロガリ
陽電子寿命 ヨウデンシジユミヨウ
多孔質シリコン タコウシツシリコン
低速陽電子線 テイソクヨウデンシセン
オルソポジトロニウム オルソポジトロニウム
パラポジトロニウム パラポジトロニウム