新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作

• Material Type: 図書
• Title: 新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作
• Title Transcription: アタラシイ カイメン セイギョ ギジュツ オ モチイタ InP ケイ チョウコウソク ・ チョウテイショウヒ デンリョク HEMT ノ シサク
• Author/Editor: 橋詰, 保, 北海道大学
• Author Heading: 橋詰, 保 ハシヅメ, タモツ
• Publication Date: 1997-1998
• Publication Date (W3CDTF): 1997
• Extent: 冊
• Additional Title: 研究種目 基盤研究(B)
• Subject Heading: インジウムリン インジウムリン; シヨツトキー障壁 シヨツトキーシヨウヘキ; 界面制御 カイメンセイギヨ; 電気化学プロセス デンキカガクプロセス; シリコン超薄膜制御層 シリコンチヨウハクマクセイギヨソウ; HEMT HEMT
• NDLC: Y151
• Note (General): 文部省科学研究費補助金研究成果報告書
• Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 09555092
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: Y151-H09555092
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000007018862; http://id.ndl.go.jp/bib/000007018862
• Bibliographic Record Category (NDL): 214