ArF excimer laser-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy : A new approach for indium nitride (InN) semiconductor growth

• Material Type: 博士論文
• Title: ArF excimer laser-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy : A new approach for indium nitride (InN) semiconductor growth
• Author/Editor: Ashraful Ghani Bhuiyan [著]
• Author Heading: Bhuiyan, Ashraful Ghani ブイヤン, アシュラフル ガニ
• Publication, Distribution, etc.: [Ashraful Ghani Bhuiyan]
• Publication Date: 2004
• Publication Date (W3CDTF): 2004
• Extent: 1冊
• Alternative Title: ArFエキシマレーザ援用有機金属気相エピタキシ : 窒化インジウム(InN)半導体成長のための新技術 ArF エキシマ レーザ エンヨウ ユウキ キンゾク キソウ エピタキシ : チッカ インジウム InN ハンドウタイ セイチョウ ノ タメノ シンギジュツ
• Degree grantor/type: 福井大学
• Date Granted: 平成16年3月23日
• Date Granted (W3CDTF): 2004
• Dissertation Number: 工博甲第153号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2004-F805
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000007446739; http://id.ndl.go.jp/bib/000007446739
• Bibliographic Record Category (NDL): 213