Studies on MOS oxide formation and scaled MOS devices

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Material Type: 博士論文
Title: Studies on MOS oxide formation and scaled MOS devices
Author/Editor: 角南英夫 [著]
Author Heading: 著者：角南, 英夫, 1943- スナミ, ヒデオ, 1943- ( 01053250 )Authorities
Extent: 冊
Alternative Title: MOS酸化膜形成とスケールダウンMOSデバイスの研究 MOS サンカマクケイセイトスケールダウン MOS デバイスノケンキュウ
Degree grantor/type: 東北大学
Date Granted: 昭和55年11月12日
Date Granted (W3CDTF): 1980
Dissertation Number: 乙第2977号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-57-F366
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007501926
http://id.ndl.go.jp/bib/000007501926
Bibliographic Record Category (NDL): 213