半導体へのイオン注入に関する研究 : Si中の不純物制御における酸素の効果とその応用

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Material Type: 博士論文
Title: 半導体へのイオン注入に関する研究 : Si中の不純物制御における酸素の効果とその応用
Title Transcription: ハンドウタイエノイオンチュウニュウニカンスルケンキュウ : Siチュウノフジュンブツセイギョニオケルサンソノコウカトソノオウヨウ
Author/Editor: 品田一義 [著]
Author Heading: 品田, 一義シナダ, カズヨシ
Extent: 冊
Degree grantor/type: 早稲田大学
Date Granted: 昭和56年3月5日
Date Granted (W3CDTF): 1981
Dissertation Number: 甲第472号
Degree Type: 工学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-56-E194
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007580398
http://id.ndl.go.jp/bib/000007580398
Bibliographic Record Category (NDL): 213