選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究

Call No. (NDL): Y151-H13305023
Bibliographic ID of National Diet Library: 000007599777

Material type: 図書

Author: 澤木宣彦, 名古屋大学 [著]

Publisher: [澤木宣彦]

Publication date: 2001-2003

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 199p

NDC: -

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Note (General)：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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Material Type: 図書
Title: 選択成長法によるシリコン基板上への集積形窒化物半導体デバイスの作製に関する研究
Title Transcription: センタクセイチョウホウニヨルシリコンキバンジョウエノシュウセキケイチッカブツハンドウタイデバイスノサクセイニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 澤木宣彦, 名古屋大学 [著]
Author Heading: 沢木, 宣彦, 1945- サワキ, ノブヒコ, 1945- ( 00373790 )Authorities
名古屋大学ナゴヤダイガク ( 00260057 )Authorities
Publication, Distribution, etc.: [澤木宣彦]
Publication Date: 2001-2003
2004.3
Publication Date (W3CDTF): 2001
2003
Extent: 199p
Additional Title: 研究種目基盤研究(A)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: GaN / 選択成長 / 三族窒化物 / シリコン基板 / 量子ドット / 量子細線 / 緩衝層 / 異種基板 GaN / センタクセイチョウ / サンゾクチッカブツ / シリコンキバン / リョウシドット / リョウシサイセン / カンショウソウ / イシュキバン
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 13305023
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H13305023
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007599777
http://id.ndl.go.jp/bib/000007599777
Bibliographic Record Category (NDL): 214