原子層MOCVDと分光エリプソメトリによる高誘電率酸化膜超薄膜の原子レベル制御

Call No. (NDL): Y151-H14350160
Bibliographic ID of National Diet Library: 000007623641

Material type: 図書

Author: 小田俊理, 東京工業大学 [著]

Publisher: [小田俊理]

Publication date: 2002-2003

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 1冊

NDC: -

View All

Notes on use

Note (General)：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

Search by Bookstore

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type: 図書
Title: 原子層MOCVDと分光エリプソメトリによる高誘電率酸化膜超薄膜の原子レベル制御
Title Transcription: ゲンシソウ MOCVD トブンコウエリプソメトリニヨルコウユウデンリツサンカマクチョウハクマクノゲンシレベルセイギョ
Author/Editor: 小田俊理, 東京工業大学 [著]
Author Heading: 著者：小田, 俊理, 1951- オダ, シュンリ, 1951- ( 00204023 )Authorities
東京工業大学トウキョウコウギョウダイガク ( 00259309 )Authorities
Publication, Distribution, etc.: [小田俊理]
Publication Date: 2002-2003
2004.3
Publication Date (W3CDTF): 2002
2003
Extent: 1冊
Additional Title: 研究種目基盤研究(B)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 原子層MOCVD / 分光エリプソメトリ / 高誘電率ゲート酸化膜 / 薄膜堆積その場観察 / MOSFET / チャネル移動度 / ゲートリーク電流 / パルス原料供給ゲンシソウ MOCVD / ブンコウエリプソメトリ / コウユウデンリツゲートサンカマク / ハクマクタイセキソノバカンサツ / MOSFET / チャネルイドウド / ゲートリークデンリュウ / パルスゲンリョウキョウキュウ
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 14350160
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H14350160
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007623641
http://id.ndl.go.jp/bib/000007623641
Bibliographic Record Category (NDL): 214