Selective growth of InGaSb and InGaAs pyramidal epilayers on 3-5 substrates by liquid phase epitaxy

• Material Type: 博士論文
• Title: Selective growth of InGaSb and InGaAs pyramidal epilayers on 3-5 substrates by liquid phase epitaxy
• Author/Editor: Guoqiang Zhang [著]
• Author Heading: 章, 国強 ザン, ゴウチャン
• Publication, Distribution, etc.: [Guoqiang Zhang]
• Publication Date: 2004
• Publication Date (W3CDTF): 2004
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 液相成長法による3-5族基板上へのInGaSb及びInGaAsピラミッド選択成長 エキソウ セイチョウホウ ニ ヨル 3 - 5 ゾク キバンジョウ エノ InGaSb オヨビ InGaAs ピラミッド センタク セイチョウ
• Degree grantor/type: 静岡大学
• Date Granted: 平成16年9月30日
• Date Granted (W3CDTF): 2004
• Dissertation Number: 甲第394号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• Alias of Author: Zhang, Guoqiang
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2004-T407
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000007666477; http://id.ndl.go.jp/bib/000007666477
• Bibliographic Record Category (NDL): 213