二次イオン質量分析法による超高速・高集積半導体デバイス界面の高精度評価技術に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: 二次イオン質量分析法による超高速・高集積半導体デバイス界面の高精度評価技術に関する研究
• Title Transcription: ニジ イオン シツリョウ ブンセキホウ ニ ヨル チョウコウソク コウシュウセキ ハンドウタイ デバイス カイメン ノ コウセイド ヒョウカ ギジュツ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 川島義也 [著]
• Author Heading: 川島, 義也 カワシマ, ヨシヤ
• Publication, Distribution, etc.: [川島義也]
• Publication Date: 2005
• Publication Date (W3CDTF): 2005
• Extent: 1冊
• Degree grantor/type: 成蹊大学
• Date Granted: 平成17年3月31日
• Date Granted (W3CDTF): 2005
• Dissertation Number: 甲第54号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2005-H41
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000007901801; http://id.ndl.go.jp/bib/000007901801
• Bibliographic Record Category (NDL): 213