RFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド(SiC)膜堆積の低温化プロセスに関する研究

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Material Type: 博士論文
Title: RFプラズマCVD法によるシリコンカーバイド(SiC)膜堆積の低温化プロセスに関する研究
Title Transcription: RF プラズマ CVDホウニヨルシリコンカーバイド SiC マクタイセキノテイオンカプロセスニカンスルケンキュウ
Author/Editor: 佐々木敦 [著]
Author Heading: 佐々木, 敦ササキ, アツシ
Publication, Distribution, etc.: [佐々木敦]
Publication Date: 2005
Publication Date (W3CDTF): 2005
Extent: 1冊
Degree grantor/type: 室蘭工業大学
Date Granted: 平成17年3月24日
Date Granted (W3CDTF): 2005
Dissertation Number: 甲第218号
Degree Type: 博士 (工学)
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-2005-J332
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007919114
http://id.ndl.go.jp/bib/000007919114
Bibliographic Record Category (NDL): 213