中性子照射法による高臨界電流密度を有する実用高温超伝導材料の試作

Call No. (NDL): Y151-H11558061
Bibliographic ID of National Diet Library: 000007920652

Material type: 図書

Author: 寺井隆幸, 東京大学 [著]

Publisher: [寺井隆幸]

Publication date: 1999-2001

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 1冊

NDC: -

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Note (General)：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

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Paper

Material Type: 図書
Title: 中性子照射法による高臨界電流密度を有する実用高温超伝導材料の試作
Title Transcription: チュウセイシショウシャホウニヨルコウリンカイデンリュウミツドオユウスルジツヨウコウオンチョウデンドウザイリョウノシサク
Author/Editor: 寺井隆幸, 東京大学 [著]
Author Heading: 寺井, 隆幸テライ, タカユキ
東京大学トウキョウダイガク
Publication, Distribution, etc.: [寺井隆幸]
Publication Date: 1999-2001
2002.3
Publication Date (W3CDTF): 1999
2001
Extent: 1冊
Additional Title: 研究種目基盤研究(B)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: 酸化物高温超伝導体 / 中性子 / 臨界電流密度 / ピン止めポテンシャル / アニール / 放射化 / ウランドーピング / バルクサンカブツコウオンチョウデンドウタイ / チュウセイシ / リンカイデンリュウミツド / ピンドメポテンシャル / アニール / ホウシャカ / ウランドーピング / バルク
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 11558061
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H11558061
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000007920652
http://id.ndl.go.jp/bib/000007920652
Bibliographic Record Category (NDL): 214