エキシマ・レーザ・アニーリング法により形成された多結晶シリコンの結晶成長に関する研究

• Material Type: 博士論文
• Title: エキシマ・レーザ・アニーリング法により形成された多結晶シリコンの結晶成長に関する研究
• Title Transcription: エキシマ レーザ アニーリングホウ ニ ヨリ ケイセイサレタ タケッショウ シリコン ノ ケッショウ セイチョウ ニ カンスル ケンキュウ
• Author/Editor: 河本直哉 [著]
• Author Heading: 河本, 直哉 カワモト, ナオヤ
• Publication, Distribution, etc.: [河本直哉]
• Publication Date: 2005
• Publication Date (W3CDTF): 2005
• Extent: 1冊
• Alternative Title: Study on crystal growth of polycrystalline silicon prepared by excimer laser annealing
• Degree grantor/type: 山口大学
• Date Granted: 平成17年11月16日
• Date Granted (W3CDTF): 2005
• Dissertation Number: 理工博乙第79号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: jpn
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文; 授与名簿の並列タイトル: Study for crystal growth mechanism of polycrystalline silicon prepared by excimer laser annealing
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2006-M625
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000008354257; http://id.ndl.go.jp/bib/000008354257
• Bibliographic Record Category (NDL): 213