Quantum confinement effects in ultra-thin body SOI MOSFETs and its application to high performance devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Quantum confinement effects in ultra-thin body SOI MOSFETs and its application to high performance devices
• Author/Editor: Gen Tsutsui [著]
• Author Heading: 筒井, 元 ツツイ, ゲン
• Publication, Distribution, etc.: [Gen Tsutsui]
• Publication Date: [2005]
• Publication Date (W3CDTF): 2005
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 極薄SOI MOSFET中の量子閉じ込め効果と高性能デバイスへの応用に関する研究 ゴクウス SOI MOSFETチュウ ノ リョウシ トジコメ コウカ ト コウセイノウ デバイス エ ノ オウヨウ ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京大学
• Date Granted: 平成17年9月30日
• Date Granted (W3CDTF): 2005
• Dissertation Number: 甲第20719号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2007-A162
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000008476582; http://id.ndl.go.jp/bib/000008476582
• Bibliographic Record Category (NDL): 213