Study of molecular beam epitaxy of GaInAsSb quantum dot for GaAs-based long-wavelength optical devices

• Material Type: 博士論文
• Title: Study of molecular beam epitaxy of GaInAsSb quantum dot for GaAs-based long-wavelength optical devices
• Author/Editor: Tetsuya Matsuura [著]
• Author Heading: 松浦, 哲也 マツウラ, テツヤ
• Publication, Distribution, etc.: [Tetsuya Matsuura]
• Publication Date: [2007]
• Publication Date (W3CDTF): 2007
• Extent: 1冊
• Alternative Title: GaAs上長波長帯光デバイス応用へ向けた分子ビーム成長法によるGaInAsSb系量子ドットに関する研究 GaAsジョウ チョウハチョウタイ ヒカリ デバイス オウヨウ エ ムケタ ブンシ ビーム セイチョウホウ ニ ヨル GaInAsSbケイ リョウシ ドット ニ カンスル ケンキュウ
• Degree grantor/type: 東京工業大学
• Date Granted: 平成19年3月26日
• Date Granted (W3CDTF): 2007
• Dissertation Number: 甲第6901号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2007-P311
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000009112192; http://id.ndl.go.jp/bib/000009112192
• Bibliographic Record Category (NDL): 213