パルス縦電場効果法によるシリコンの表面とP-N接合内の局在電子準位の研究

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Material Type: 博士論文
Title: パルス縦電場効果法によるシリコンの表面とP-N接合内の局在電子準位の研究
Title Transcription: パルスタテデンバコウカホウニヨルシリコンノヒョウメント P-N セツゴウナイノキョクザイデンシジュンイノケンキュウ
Author/Editor: 佐藤収一 [著]
Author Heading: 佐藤, 収一サトウ, シュウイチ
Extent: 冊
Degree grantor/type: 学習院大学
Date Granted: 昭和42年3月31日
Date Granted (W3CDTF): 1967
Dissertation Number: 甲第10号
Degree Type: 理学博士
Note (Dissertation): 博士論文
Place of Publication (Country Code): JP
NDLC: UT51
Note (General): 博士論文
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: UT51-44-A706
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000009168996
http://id.ndl.go.jp/bib/000009168996
Bibliographic Record Category (NDL): 213