超微細シリコンLSIに用いられる高誘電率薄膜中の欠陥の構造と生成機構の解明

Call No. (NDL): Y151-H16360160
Bibliographic ID of National Diet Library: 000009285900

Material type: 図書

Author: 大木義路, 早稲田大学 [著]

Publisher: [大木義路]

Publication date: 2004-2006

Material Format: Paper

Capacity, size, etc.: 1冊

NDC: -

View All

Notes on use

Note (General)：: 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書

Search by Bookstore

Bibliographic Record

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Paper

Material Type: 図書
Title: 超微細シリコンLSIに用いられる高誘電率薄膜中の欠陥の構造と生成機構の解明
Title Transcription: チョウビサイシリコン LSI ニモチイラレルコウユウデンリツハクマクチュウノケッカンノコウゾウトセイセイキコウノカイメイ
Author/Editor: 大木義路, 早稲田大学 [著]
Author Heading: 大木, 義路, 1950- オオキ, ヨシミチ, 1950- ( 00117517 )Authorities
早稲田大学ワセダダイガク ( 00257874 )Authorities
Publication, Distribution, etc.: [大木義路]
Publication Date: 2004-2006
2007.4
Publication Date (W3CDTF): 2004
2006
Extent: 1冊
Additional Title: 研究種目基盤研究(B)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: ゲート絶縁膜 / 高誘電率材料 / ハフニウムシリケート / ジルコニウムシリケート / ハフニア / ジルコニア / プラズマ化学気相堆積法 / フォトルミネセンスゲートゼツエンマク / コウユウデンリツザイリョウ / ハフニウムシリケート / ジルコニウムシリケート / ハフニア / ジルコニア / プラズマカガクキソウタイセキホウ / フォトルミネセンス
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 16360160
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H16360160
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000009285900
http://id.ndl.go.jp/bib/000009285900
Bibliographic Record Category (NDL): 214