超低エネルギーイオン注入による半導体極浅ドーピング技術の開発

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Material Type: 図書
Title: 超低エネルギーイオン注入による半導体極浅ドーピング技術の開発
Title Transcription: チョウテイエネルギーイオンチュウニュウニヨルハンドウタイゴクアサドーピングギジュツノカイハツ
Author/Editor: 山本和弘, 産業技術総合研究所 [著]
Author Heading: 山本, 和弘ヤマモト, カズヒロ
産業技術総合研究所サンギョウギジュツソウゴウケンキュウジョ
Publication, Distribution, etc.: [山本和弘]
Publication Date: 2005-2006
2007.6
Publication Date (W3CDTF): 2005
2006
Extent: 1冊
Additional Title: 研究種目基盤研究(C)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
Subject Heading: イオン注入 / シリコン / ボロン / 超低エネルギー / 極浅接合イオンチュウニュウ / シリコン / ボロン / チョウテイエネルギー / ゴクセンセツゴウ
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 17560299
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H17560299
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000009300858
http://id.ndl.go.jp/bib/000009300858
Bibliographic Record Category (NDL): 214