Bulk growth and extended-defect analysis of high-quality SiC single crystals

• Material Type: 博士論文
• Title: Bulk growth and extended-defect analysis of high-quality SiC single crystals
• Author/Editor: Daisuke Nakamura [著]
• Author Heading: 中村, 大輔 ナカムラ, ダイスケ
• Publication, Distribution, etc.: [Daisuke Nakamura]
• Publication Date: [2008]
• Publication Date (W3CDTF): 2008
• Extent: 1冊
• Alternative Title: 高品質バルクSiC単結晶成長と構造欠陥の解析 コウヒンシツ バルク SiC タンケッショウ セイチョウ ト コウゾウ ケッカン ノ カイセキ
• Degree grantor/type: 京都大学
• Date Granted: 平成20年3月24日
• Date Granted (W3CDTF): 2008
• Dissertation Number: 甲第13822号
• Degree Type: 博士 (工学)
• Note (Dissertation): 博士論文
• Place of Publication (Country Code): JP
• Text Language Code: eng
• NDLC: UT51
• Note (General): 博士論文
• Holding library: 国立国会図書館
• Call No.: UT51-2008-C738
• Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• Bibliographic ID (NDL): 000009376444; http://id.ndl.go.jp/bib/000009376444
• Bibliographic Record Category (NDL): 213