先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構

Notes on use

Search by Bookstore

You can check the details of this material, its authority (keywords that refer to materials on the same subject, author's name, etc.), etc.

Material Type: 図書
Title: 先端半導体材料とデバイスの放射線損傷機構
Title Transcription: センタンハンドウタイザイリョウトデバイスノホウシャセンソンショウキコウ
Author/Editor: 紫垣一貞, 熊本電波工業高等専門学校 [著]
Author Heading: 紫垣, 一貞シガキ, カズサダ
熊本電波工業高等専門学校クマモトデンパコウギョウコウトウセンモンガッコウ
Publication, Distribution, etc.: [紫垣一貞]
Publication Date: 2005-2007
2008.3
Publication Date (W3CDTF): 2005
2007
Extent: 61p
Additional Title: 研究種目基盤研究(C)
Place of Publication (Country Code): JP
Text Language Code: jpn
eng
Subject Heading: 陽子線 / 電子線 / 照射損傷 / 高温照射 / MOSFET / 歪Si ヨウシセン / デンシセン / ショウシャソンショウ / コウオンショウシャ / MOSFET / ワイ Si
NDLC: Y151
Note (General): 文部科学省科学研究費補助金研究成果報告書
Research Project No. of Grants-in-Aid for Scientific Research: 17560054
Holding library: 国立国会図書館
Call No.: Y151-H17560054
Data Provider (Database): 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書
https://ndlsearch.ndl.go.jp
Bibliographic ID (NDL): 000009443106
http://id.ndl.go.jp/bib/000009443106
Bibliographic Record Category (NDL): 214